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偽靜態存儲器(Parrallel pSRAM)的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器(SRAM),即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應用,在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得,在這種應用中可以提供卓越的性能。
VTIVilsion  Technology Inc.主要生產pSRAM芯片產品,長期為汽車,通信,數字消費,工業,醫療和物聯網設計,開發和銷售高性能,高性價,高品質pSRAM芯片產品,以高性價比的高品質半導體產品瞄準高增長市場,并尋求與客戶建立長期合作關系。 即使在制造能力緊張的時期,我們也一直是靜態記憶產品的長期供應商。
Density Org. Part Name Temp. Vcc(V) Speed Package Packing Status PDF下載
64Mb 4M x 16 VTI164NA16LM C,I 2.7~3.6 60,70 48BGA Tray MP 暫無
64Mb 4M x 16 VTI164LA16LM C,I 1.7~1.95 60,70 48BGA Tray MP 暫無
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16Mb 1M x 16 VTI116NA16LM C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA Tray MP 暫無
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8Mb 512K x 16 VTI108NA16LM C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA Tray MP 暫無
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