聯系我們
發送郵箱
主頁 ? 產品中心 ? SRAM ? pSRAM ? Parrallel pSRAM ? winbond ?
偽靜態存儲器(Parrallel pSRAM)的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器(SRAM),即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應用,在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得,在這種應用中可以提供卓越的性能。
winbond華邦電子聚焦于中低容量產品,提供規格完整的串口式閃存(Serial Flash)和并行式閃存(Parallel Flash)產品以及PSRAM芯片產品,滿足小尺寸封裝規格,具有腳數低、體積小、成本低的特性;拓展應用于行動裝置、消費電子,以及多樣性之車用電子、物聯網和穿戴裝置等應用領域。winbond華邦電子運用技術自主之優勢及謹慎規劃的產能策略,建立極具彈性的生產體系,并發揮產品組合相乘所產生之綜效,充分滿足客戶多元化需求、落實自有品牌之發展。該品牌非我司代理產品線
Density Voltage Part No. Speed Temp. Organization PDF下載
256Mb 1.8V / 1.8V W958D6DBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
256Mb 1.8V / 1.8V W968D6DAG 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM 暫無
128Mb 1.8V / 1.8V W957D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
128Mb 1.8V / 1.8V W967D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM 暫無
64MB 1.8V W966D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM 暫無
64MB 1.8V W956D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
64MB 1.8V W956D6KBK 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
32MB 1.8V W956K6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暫無
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暫無
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16PDGA-70 70ns -40~85℃ -- 暫無
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16BDGB-701 70ns -40~85℃ -- 暫無
展開
破女高中生处流血视频_永久域名18勿进永久域名_女人把私人部位扒开视频在线看_四川发廊丰满老熟妇_野花韩国视频在线观看免费播放 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>