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偽靜態存儲器(Parrallel pSRAM)的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器(SRAM),即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應用,在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得,在這種應用中可以提供卓越的性能。
AP Memory提供以客戶為中心的內存解決方案。從標準設備到完全定制的設備,提供的產品PSRAM,DSRM和供應鏈均受客戶要求的驅動。
自成立以來,已經運送了數十億其他存儲設備,包括超過50億KGD設備。
AP Memory總部位于臺灣,并在臺灣證券交易所上市。主要研發部門位于日本,美國和大中華地區。銷售地點遍布全球。2017年,標準DRAM供應商Zentel Electronics成為AP Memory的一部分。產品廣泛用于NBIoT終端設備,智能家居網關,智能電表,LTE Cat 1 / M調制解調器,傳感器,可穿戴等.
Density Organization Part Number Data rate Voltage Temperature(°C) Commercial Temperature(°C) Industry KGD Status PDF下載
256Mb x16 ADMUX APS256 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暫無
128Mb x16 ADMUX APS128 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暫無
64Mb x16 ADMUX APS64 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暫無
32Mb x16 ADMUX APS32 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暫無
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