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DRAM

 
DRAM是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態”存儲器。
DRAM的優勢在于結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。
與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。

 JSC濟州半導體Low Power DRAM 

Low Power DRAM 容量
LPSDR 512Mb

 

LPDDR 128Mb 256Mb 512Mb 1Gb 2Gb  
LPDDR2 1Gb 2Gb 4Gb  
LPDDR4x 4Gb 8Gb 10Gb  
KGD(PGD) 64Mb

128Mb

256Mb

512Mb 1Gb 2Gb


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