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碳化硅為機械強度、熱穩定度、化學穩定度皆非常優異的化合物半導體,其莫氏硬度為9,熔點2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對比起硅的1.12eV ,使碳化硅擁有耐壓、高效、穩定、散熱等優勢。
Fast SiC semiconductor lnc.即思創意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設計公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管,目前唯一將SIC MOSFET設計可符合常規之12v硅基閘極驅動器使用?,F時碳化硅主要應用領域將會于高功率電源市場以及極端環境下的各式應用中。
Product No. Drain-source?Voltage[V] Drain-source?On-state?Resistance(Typ.)?[mΩ] Package PDF下載
FF06030Q 650 30 TO-247-4L 暫無
FF06100G 650 100 DFN8x8 暫無
FL06100C 650 100 TO-220-3L 暫無
FF06100D 650 100 TO-220FP 暫無
FL06100D 650 100 TO-220FP 暫無
FF06100F 650 100 TOLL 暫無
FL06150A 650 150 DPAK(MSL 1) 暫無
FF06320A 650 320 DPAK(MSL 1)? 暫無
FL06320A 650 320 DPAK(MSL 1) 暫無
FF06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320G 650 320 DFN8x8 暫無
FF061K4 650 1400 DPAK(MSL 1) 暫無
FF12040F 1200 40 TO-247-3L 暫無
FF12040Q 1200 40 TO-247-4L 暫無
FL12190A 1200 190 DPAK(MSL 1) 暫無
FL12190G 1200 190 DFN8x8 暫無
FL12190I 1200 190 SOIC-8 暫無
FF17900E 1700 900 TO-247-3L 暫無
FF17900Q 1700 900 TO-247-4L 暫無
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