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Everspin代理256Mb ST-DDR3自旋轉移扭矩MRAM

2021-04-30 09:16:45

Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能,包括設備端接(ODT)和內部ZQ校準,但具有數據持久性和極高的寫周期耐久性的優點。借助Spin-Torque MRAM技術,不需要刷新單元,從而大大簡化了系統設計并減少了開銷。
 
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步,輸入鎖存在時鐘交叉點。 I / O與一對雙向選通脈沖(DQS,DQS)同步。該器件使用RAS / CAS多路復用方案,并在1.5V下工作。
 
特征
•非易失性256Mb(32Mb x 8,16Mb x 16)DDR3
•支持標準DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高達667MHz fCK(1333MT /秒/針)
•頁面大小為512位(x8)或1024位(x16)
•設備上終止
•片上DLL將DQ,DQS,DQS轉換與CK轉換對齊
•所有地址和控制輸入均在時鐘的上升沿鎖存
•突發長度為8,可編程突發斬波長度為4
•標準10x13mm 78球(x8)或96球(x16)BGA封裝
 
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標準JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標準完全兼容。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無論何時出于任何原因斷開設備電源,已關閉/預充電存儲區中的所有數據都將保留在內存中。
•在某些情況下,命令時間會有所不同。
•DDR3標準適用于高于256Mb的密度,從而導致尋址和頁面大小差異。
•突發類型/突發順序僅支持CA <2:0 = 000或100的連續突發類型。請參見第30頁的“突發長度,類型和順序”。
 
基本功能
DDR3 STT-MRAM是內部配置為八存儲區RAM的高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。它使用8n預取架構來實現高速操作。8n預取架構與旨在在I/O引腳的每個時鐘周期傳輸兩個數據字的接口相結合。DDR3 MRAM的單個讀或寫操作包括內部STT-MRAM內核的單個8n位寬,四個時鐘數據傳輸以及I/O引腳上的兩個相應的n位寬,半時鐘周期數據傳輸。
 
對DDR3 STT-MRAM的讀和寫操作是面向突發的,從選定的位置開始,并按照編程的順序繼續進行八次突發長度或四次“斬波”突發。操作從激活活動命令的注冊開始,然后是READ或WRITE命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要激活的存儲體和行([BA0:BA2]選擇存儲體; A0-A13選擇行);有關特定要求,與READ或WRITE命令一致的已注冊地址位用于選擇突發操作的起始列位置,確定是否要發出自動預充電命令(通過A10),并“即時”選擇BC4或BL8模式。 (通過A12)(如果在模式寄存器中啟用)。在正常操作之前,必須以預定義的方式上電并初始化DDR3 STT-MRAM。

EMD3D256M型號表
Density Org. Part Number Voltage Speed Temp Rating Package
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA


本文關鍵詞:ST-DDR3  EMD3D256M08

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