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賽普拉斯代理4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT

2021-06-03 09:41:42

SRAM是一種隨機存取存儲器(RAM),它使用基于觸發器的鎖存電路來存儲每個位。只要有電源,數據位就會保留在存儲器中。與動態RAM(DRAM)不同,SRAM不必定期刷新。SRAM有兩種不同的風格:同步和異步。同步SRAM是與稱為時鐘的外部信號同步的設備。設備只會在時鐘的特定狀態下將信息讀取和寫入內存。另一方面,異步SRAM不依賴于時鐘的狀態。它會在收到指令后立即開始向內存中讀取或寫入信息。
 
賽普拉斯為網絡、汽車、消費電子、工業、醫療、航空航天和國防等各種應用提供各種高速、低功耗和可靠的SRAM。憑借多樣化的異步、同步和雙端口SRAM產品組合以及穩定供應和長期產品支持的承諾,賽普拉斯是首選的SRAM供應商。英尚微代理介紹一款市面上比較受歡迎的一款賽普拉斯4Mbit異步SRAM。
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速靜態RAM,按16位組織為256K字。容量4Mbit的高速異步快速SRAM,訪問速度10ns/15ns,低活動和待機電流,工作電壓范圍2.2V~3.6V,1.0-V數據保留,工作溫度-40℃~ 85℃,具備TTL兼容的輸入和輸出,封裝采用無鉛44-pinTSOPII。
 
引腳配置
 
 
 
44-pinTSOPII
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT數據寫入通過將芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入置為低電平來執行,同時在I/O0至I/O15上提供數據并在A0至A17引腳上提供地址。字節高使能(BHE)和字節低使能(BLE)輸入控制對指定存儲器位置的高字節和低字節的寫操作。BHE通過I/O15控制I/O8,BLE通過I/O7控制I/O0。
 
數據讀取是通過將芯片使能(CE)和輸出使能(OE)輸入置為低電平并在地址線上提供所需地址來執行的。讀取數據可通過I/O線(I/O0到I/O15)訪問。字節訪問可以通過置位所需的字節使能信號(BHE或BLE)來執行,以從指定地址位置讀取數據的高字節或低字節。
 
在以下事件期間,所有I/O(I/O0到I/O15)都處于高阻抗狀態:
■設備被取消選擇(CEHIGH)
■控制信號(OE、BLE、BHE)無效
 
借助片上硬件ECC(糾錯碼),賽普拉斯的SRAM可以在線執行所有與ECC相關的功能,無需干預。更高能量的外星輻射可以翻轉多個相鄰位,導致多位錯誤。ECC的單比特錯誤檢測和糾正能力由比特交織方案補充,以防止多比特錯誤的發生。這些特性共同顯著提高了軟錯誤率(SER)性能,從而實現低于0.1FIT/Mbit的行業領先FIT率。


本文關鍵詞: CY7C1041GN30-10ZSXIT


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英尚微電子中國區指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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