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Everspin Technologies獲得了SEMI美洲獎

2022-02-23 09:38:03

Everspin Technologies是全球領先的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)非易失性解決方案生產商,為全球存儲器應用提供非易失性解決方案,在2021年12月8日,該公司贏得了2021年SEMI美洲獎。
 
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒,因與GlobalFoundries合作開發首個商業化自旋轉移矩(STT)存儲器而獲獎。采用28nm工藝的新型Everspin1-gigabayte(GB)STT-MRAM設備是同類產品中的世界首創。MRAM提供類似于SRAM的性能特征,同時在系統斷電期間保持其電荷和數據。
 
STT-MRAM存儲元件的實施使應用材料、佳能-Anelva、LAMResearch和東京電子開發的一類新工藝工具的部署成為可能。
 
STT-MRAM有潛力成為領先的存儲技術。其高性能內存可與DRAM和SRAM相媲美,同時可縮小到10納米(nm)以下,而且閃存成本低。
 
STT-MRAM是業界最強大、最通用的非易失性存儲器,它有望讓日常電子產品更快地訪問數據,同時消耗更少的功率。
 
Everspin的開創性開發和STT-MRAM的推出為先進的存儲技術鋪平了道路,使芯片規模得以延續。
 
Everspin是設計制造分立式Toggle MRAM和SST-MRAM并將其商業運送到數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用中。該公司擁有超過1.3億個MRAM和SST-MRAM產品,部署在數據中心、云存儲、能源、工業和運輸市場,包括汽車。

本文關鍵詞:Everspin,MRAM,STT-MRAM


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